삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM) 시장의 주도권을 되찾기 위한 기술적 방향성을 명확히 했다. 그 신호는 최근 열린 '세미콘 코리아 2026'에서 송재혁 DS부문 최고기술책임자(CTO)의 행보를 통해 구체적으로 드러났다. 그의 발길은 HBM의 성능을 극대화할 3D 적층 기술과 후공정 분야의 핵심 기업들에 집중됐다.

 

송 CTO의 가장 큰 관심사는 차세대 패키징 기술로 꼽히는 '하이브리드 본딩'이었다. 그는 관련 시장을 주도하는 네덜란드의 베시(Besi)와 싱가포르의 ASMPT 부스를 연달아 방문하며 깊은 관심을 보였다. 하이브리드 본딩은 기존 방식보다 더 많은 D램을 더 얇게 쌓아 올릴 수 있어, 속도와 전력 효율을 획기적으로 개선할 HBM4 이후 세대의 핵심 기술로 평가받는다.

 

그의 시선은 단순히 칩을 붙이는 본딩 기술에만 머무르지 않았다. 회로를 수직으로 쌓아 올리는 첨단 패키징 공정 전반으로 확장됐다. 특히 웨이퍼와 웨이퍼를 직접 연결해 생산성을 높이는 'W2W' 기술의 선두주자인 오스트리아 EVG 부스를 찾은 것은, 3D 적층 기술의 완성도를 높이려는 삼성의 의지를 보여주는 대목이다.

 

첨단 기술의 상용화를 위해선 수율 확보가 관건이다. 송 CTO는 수율 관리와 직결되는 장비 업체들도 꼼꼼히 살폈다. D램을 높이 쌓을수록 발생하는 칩의 정렬 오차 문제를 해결하기 위해 미국 온투이노베이션의 초정밀 계측 장비에 주목했고, 미세한 불순물도 용납하지 않는 반도체 공정의 특성상 세정 기술의 중요성을 인지하고 국내 기업 제우스의 부스도 방문했다.

 

업계에서는 송 CTO의 이번 동선이 3D 스태킹 기술을 통해 HBM 시장의 판도를 바꾸려는 삼성의 숙명적인 전략을 보여준 것이라고 분석한다. 삼성전자가 평택 공장에 HBM 생산을 위한 하이브리드 본딩 라인 도입을 추진 중이라는 관측이 나오는 가운데, 빠르면 HBM4E 모델부터 해당 기술이 적용될 것이라는 예측이 힘을 얻고 있다.

 

다만, 송 CTO가 방문한 기업 대부분이 해외 업체였다는 점에서 국내 반도체 소부장(소재·부품·장비) 업계의 아쉬움도 감지된다. TSMC가 자국 생태계와 협력해 성과를 내는 것처럼, 삼성전자 역시 국내 기업들과의 상생을 통해 초격차를 유지해야 한다는 목소리가 나온다.